IR2110, IR2113 - драйверы высоковольтных, высокоскоростных МОП- транзисторов или IGBT-транзисторов с независимыми выходными каналами нижнего и верхнего уровней. Собственная HVIC-технология и стойкая к защелкиванию.
Драйверы для IGBT и MOSFET транзисторов. Компания ЭЛТЕХ - официальный дистрибьютор компании IXYS на территории Российской Федерации. Компания IXYS – один из мировых лидеров в производстве мощных полевых транзисторов (MOSFET) и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). IXYS также выпускает и микросхемы драйверов - для эффективного управления затвором MOSFET и IGBT транзисторов.
Важным преимуществом. IX2. 18. 44 является аппаратная реализация паузы между переключением ключей (dead time), что существенно повышает надежность конечного устройства. Временем паузы программируемое и может быть установлено от 4. Малые задержки времени позволяет реализовывать преобразование на высокой частоте. IX2. 18. 44 разработан для управления MOSFET и IGBT транзисторами, работающими при напряжении до 7. В. IX2. 18. 44позволяет реализовывать полумостовые, мостовые и трехфазные варианты исполнения преобразователей.
Технические характеристики. Напряжение на шине, Voffset: 6. В (максимум 7. 00. В). Выходной ток IO+/IO- : 1. А / 1. 8. А. Время задержки распространения ton/toff: 5. Время нарастания /спада фронта (tr/tf): 2.
Программируемая пауза переключения ( Dead time) TD: от 4. Возможность работы с входными логическими сигналами: 3,3. В и 5. В. Вывод Shut Down – перевод драйвера в неактивное состояние. Отключение при пониженном напряжении питания (UVLO) как для верхнего, так и для нижнего плеча. Устойчив к отрицательным выбросам напряжения при переходных процессах. IX2. 11. 3 - IX2. Высоковольтный быстрый драйвер для силовых MOSFET и IGBT транзисторов.
Драйвер предназначен для выполнения двух основных функций: Формирование сигнала управления на затворе IGBT в соответствии с командами процессора. Диагностика состояния (наличие или отсутствие тока перегрузки), своевременное выключение силового транзистора и.
IX2. 11. 3 имеет два независимых канала верхнего и нижнего плеча и разработан для схем, работающих при напряжении до 7. В. Этот драйвер надежен и устойчив к выбросам при переходных процессах, задержки распространения настолько малы, что позволяют использовать этот драйвер в высокочастотных приложениях. Технические характеристики. Напряжение на шине, Voffset: 6. В (максимум 7. 00 В).
- Драйверы MOSFET - и IGBT - транзисторов предназначены для IRS2110.
- MOSFET - и IGBT - транзисторов — основная транзисторов другой функцией драйвера яв-.
- Компания IXYS – один из мировых лидеров в производстве мощных полевых транзисторов (MOSFET) и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). IXYS также выпускает и микросхемы драйверов.
- Драйверы для управления затворами MOSFET- и IGBT-транзисторов — основная группа высоковольтных интегральных схем компании International Rectifier. Драйвер вхо-дит в состав любого мощного преобразовате.
Выходной ток IO+/IO- : 2. А / 2 А. Время задержки распространения (ton/toff): 1. Время нарастания/спада фронта (tr/tf): 9,7нс/ 9,4 нс.
Остальные ИМС драйверов. 1) напряжение на затворе должно быть выше напряжения истока транзистора на 5. Типы драйверов компании IR. В зависимости от функциональной насыщенности и выполняемых функций, изделия компании International. Номенклатура выпускаемых MOSFET- и IGBT-транзисторов растет лавинообразно, также как и номенклатура драйверов, поэтому данная статья ставит своей задачей помочь разработчику в выборе наиболее подходящего компонента для решения конкретной задачи. Номенклатура выпускаемых MOSFET - и IGBT - транзисторов растет IR2110, Независимый драйвер верхнего и нижнего плеча полумоста, 500, 2/2, 120/.
Входное напряжение: 1. В. Возможность работы с входными логическими сигналами: 3,3 В. Вывод Shut down – перевод драйвера в неактивное состояние. Отключение при пониженном напряжении питания (UVLO) как для верхнего так и для нижнего плеча. Устойчив к отрицательным выбросам напряжения при переходных процессах. IX2. 12. 7 — IX2. MOSFET и IGBT транзисторов.
IX2. 12. 7 имеет встроенный компаратор, который, обнаружив в управляемом транзисторе перегрузку по току, своевременно отключает управление (функция shut- down). При этом выход FAULT укажет, что отключение произошло из- за перегрузки по току. IX2. 12. 7 оптимален для применения в схемах балласта для флуоресцентных ламп, управления электродвигателями, импульсных источниках питания и других устройствах. Технические характеристики. Напряжение на шине, Voffset: 6. В. Выходной ток IO+/IO- : 2. А / 4. 50 м. А. Время задержки распространения (ton/toff): 1.
Время нарастания/спада фронта (tr/tf): 2. Возможность работы с входными логическими сигналами: 3,3 В, 5 В и 1. В. Отключение при перегрузки по току (Over- Current Shutdown). Драйвер производится по технологии IXYS IC кремний на изоляторе(SOI), имеет широкий диапазон по выходному напряжению от - 1. В до + 2. 6 В и два токовых выхода, каждый из которых рассчитан на 2 А входного тока и 4 А выходного, и возможность включения каналов в параллель для управления более мощными транзисторами. IX2. 20. 4 также подходит для управления Si. C MOSFET транзисторами.
IX2. 20. 4NE имеет два уровня защиты от перегрузки по току управляемого транзистора и от снижения питающего напряжения(UVLO). Так же есть выход сигнала аварии, который отражает наступление одного из вышеперечисленных событий. Благодаря малым задержкам распространения и очень коротким фронтам эти драйверы являются оптимальными для силовых высокочастотных применений. IXD. Драйвера оптимизированы для работы на частотах до 1.
МГц. Технические характеристики. Широкий диапазон напряжения питания: от 4. В до 3. 5В. Пиковый выходной ток: от 1,5 А до 3. А. Оптимизированы для работы на частотах до 1. МГц. Собственное потребление: 1. А. Расширенный диапазон рабочей температуры: –4.
На входе оптрона драйвера применен светодиод инфракрасного диапазона с малым прямым падением напряжения (1. В). Выходной каскад рассчитан на большие пиковые токи (2,5 А max), что вместе с высокой помехозащищенностью (2. В/мкс) позволяет применять драйверы в таких устройствах, как: схемы управления электродвигателями, промышленные инверторы, электросварочные аппараты, импульсные источники питания и др. Технические характеристики.
Прочность изоляции вход/выход: 3. В. Выходной ток: 2. А. Время нарастания/спада фронта (tr/tf): 0,1мкс / 0,1мкс.
Время задержки распространения (tplh/tphl): 0. Входное напряжение: от 1. В до 3. 0В. Отключение при пониженном напряжении питания (UVLO). Высокая помехозащищенность (минимум 2. В/мксек, CMR). CPC1.
CPC1. 59. 0 —. CPC1. CPC1. 59. 0 — быстрые оптически изолированные драйвера затвора, не требующие дополнительного источника питания — питание поступает от внешнего конденсатора, заряжаемого от напряжения нагрузки.
Эти драйверы рассчитаны на применение в импульсных схемах с коротким рабочим циклом. Технические характеристики. Прочность изоляции вход/выход: 3. В. Напряжение на нагрузке, VL: 1.
В. Время задержки распространения (ton/toff): 1. Совместимость с TTL/CMOS- логикой.
Не требуется дополнительный источник питания. FDA2. 15, FDA2. 17 —. FDA2. 15 и FDA2. 17 - оптически изолированные двухканальные драйверы затвора для MOSFET транзисторов. Представляют собой сочетание инфракрасного Ga. AIAs светодиода и сборки фотодиодов, при протекании тока через светодиод на выходе генерируется напряжение достаточное для управления MOSFET- транзистором. Технические характеристики. Прочность изоляции вход/выход: 3.
В. Ток короткого замыкания выхода 2,5 мк. А (4,5 мк. А)*. Время нарастания/спада (ton/toff): 5/5 мс (2/0,5 мс)*. Выходы с возможностью параллельного, последовательного или независимого подключения.
Открытый выход с возможностью параллельного или последовательного подключения. В скобках приведены данные для FDA2.